Horizontal Connection and Horizontal Mean Curvature in Carnot Groups

In this paper we give a geometric interpretation of the notion of the horizontal mean curvature which is introduced by Danielli Garofalo-Nhieu and Pauls who recently introduced sub- Riemannian minimal surfaces in Carnot groups. This will be done by introducing a natural nonholonomic connection which is the restriction （projection） of the natural Riemannian connection on the horizontal bundle. For this nonholonomic connection and （intrinsic） regular hypersurfaces we introduce the notions of the horizontal second fundamental form and the horizontal shape operator. It turns out that the horizontal mean curvature is the trace of the horizontal shape operator.     

Bivariate Recursive Equations on Excess-of-loss Reinsurance

This paper investigates bivariate recursive equations on excess-of-loss reinsurance. For an insurance portfolio, under the assumptions that the individual claim severity distribution has bounded continuous density and the number of claims belongs to R1 （a, b） family, bivariate recursive equations for the joint distribution of the cedent＇s aggregate claims and the reinsurer＇s aggregate claims are obtained.     

A Rapid Solid-phase Synthesis to Soluble Oligothiophene Molecular Wires

A novel method for the preparation of oligothiophene molecular wires is described via a bi-directional solid-phase synthesis. Using an alternating sequence of bromination and Stille coupling reactions, oligomers were obtained up to the heptamer in excellent yield and purity.     

一种新的磷化铟复合沟道高电子迁移率晶体管小信号物理模型

针对磷化铟(InP)复合沟道高电子迁移率晶体管(HEMT)的特点，对常规单沟道HEMT的小信号物理模型进行了修正，提出了一种新的用于复合沟道HEMT的小信号物理模型，用商用器件模拟软件ISE(integrated systems engineering)对其进行了仿真验证，对比了实测和仿真的I-V特性及转移特性曲线，重点研究了在InGaAs/InP双层沟道中考虑量子效应后的电场和电流密度随着不同栅电压的变化趋势，研究结果表明，由于在沟道中存在量子效应，在栅下靠源端低电场区域，电流主要分布在InGaAs沟道 关键词： 高电子迁移率晶体管 复合沟道 物理模型 磷化铟     

SiO2-羟基表面上金属原子的第一性原理研究

采用第一性原理方法研究了SiO2-羟基表面上几种金属原子的吸附性质,发现In和Ga在SiO2-羟基表面上的结合很弱,而Fe,Co,Ni在该表面上与Si,O形成强的化学键.等势能面和扩散势垒计算表明In(Ga)的扩散激活能只有0.1-0.3 eV,表明这两种原子容易在表面上扩散.这些结果可以定性地解释纳米合成中的一些实验现象.     

(111)取向(Pb,La)TiO3铁电薄膜中90°纳米带状畴与热释电性能的研究

采用射频磁控溅射技术在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上生长了掺镧钛酸铅(PLT)铁电薄膜.用X射线衍射技术(XRD)研究了PLT薄膜结晶性能,结果表明PLT薄膜为(111)择优取向钙钛矿相织构.使用原子力显微镜(AFM)和压电响应力显微镜(PFM)分别观察了PLT薄膜的表面形貌和对应区域的电畴结构.PFM观察显示PLT薄膜中存在90°纳米带状畴,电畴的极化为首尾相接的低能量的排列方式,带状畴的宽度为20-60nm.研究了PLT10铁电薄膜的制备条件与性能之间的关系.发现在优化条件下制备的PLT10铁电薄膜的介电常数εr为365、介电损耗tgδ为0.02,热释电系数γ为2.18×10-8C·(cm2·K)-1,可以满足制备非制冷红外探测器的需要.     

A Convenient Synthetic Method of Metal Dendritic Porphyrins

Metal porphyrins are natural antioxidant reagent1-3. However, due to the characteristics of structures, they are only soluble in inorganic acids and part of polar organic solvents. Thus, it is limited to be used as effective pharmaceutical preparations. T…     

随机生长误差对双腔型平顶法布里-珀罗滤波器的影响

在光网络中平顶滤波器可以有效地提高信道光检测的快速性和准确性。利用两个法布里珀罗腔间的串联耦合,可以构建出具有平顶透射特性的双腔型法布里珀罗滤波器。采用传输矩阵的方法,研究了随机生长误差对双腔型平顶滤波器透射特性的影响。模拟分析表明,当两个法布里珀罗腔的物理厚度差超过一个纳米时,在透射谱中就会出现两个高度不同的透射峰;解释了实测器件的透射谱中的双峰不对称性;用界面起伏的概念解释了实测滤波器带宽大于理论值的原因。理论分析与实验结果取得了较好的一致。     

非化学配比锰基钙钛矿输运特性研究

本文报道了用溶胶凝胶法并经过低温(900℃)后处理制备的具有非化学配比的La2/3Ca1/3Mn1-xO3(x=0～0.10)多晶样品的电输运和磁性质的实验研究.结果表明,随x的增加,样品呈现出明显增强的非本征磁电阻效应,同时其本征磁电阻效应减弱.实验还观察到样品的颗粒尺寸随x的增加而减小的现象.基于样品的结构特征,本文讨论了其独特输运性能的形成原因.     

退火温度对低温生长MgxZn1－xO薄膜光学性质的影响

用射频磁控溅射法在80℃衬底温度下制备出Mg_xZn_1-xO(x=0.16)薄膜，用X射线衍射(XRD)、光致发光(PL)和透射谱研究了退火温度对Mg_xZn_1-xO薄膜结构和光学性质的影响.测量结果显示，Mg_xZn_1-xO薄膜为单相六角纤锌矿结构，并且具有沿c轴的择优取向；随着退火温度的升高，(002)XRD峰强度、平均晶粒尺寸和紫外PL峰强度增大，(002)XRD峰半高宽(F 关键词： xZn_1-xO薄膜')" href="#">Mg_xZn_1-xO薄膜 射频磁控溅射 退火